Type-C 凭借物理接口标准化和多协议复用实现了通信接口大一统，而 PD 协议则从5V逐步演进到28V高压，使 Type-C 成为“全能接口”。

28V PD不仅突破了 100W 功率瓶颈，更重新定义了设备供电方式，推动“单线缆解决方案”成为主流，为消费电子、专业设备和工业领域带来革命性变革，同时促进环保和产业升级。Type-C+28V PD已成为连接未来智能设备的基础设施，实现了 "一个接口连接世界" 的愿景。

28V PD端口后级芯片(受电端)内部器件需由原30V耐压提升至40V，以承受 28V+20% 过压保护值 (33.6V)。同时后端的浪涌保护TVS钳位电压需要<40V保护芯片免受浪涌冲击。艾为的“平坦钳位”技术像一道稳固的水晶墙，能够实现精准、可靠的防护。

图1 Type C口浪涌事件和TVS浪涌保护泄放动作

28V PD 端口场景触发浪涌的级别和能量详解

浪涌测试标准与波形参数

28V PD 端口浪涌测试遵循 IEC 61000-4-5标准，采用1.2/50μs (电压波)+8/20μs (电流波) 组合波形，是USB-IF认证必测项目。

1.标准波形参数

电压波 (1.2/50μs)：前沿时间1.2μs，半峰值时间50μs

电流波 (8/20μs)：前沿时间8μs，半峰值时间20μs

测试源内阻：2Ω（开路电压与短路电流比值）

图2 浪涌波形参数定义

浪涌级别与电压 / 电流参数

28V PD 端口浪涌测试级别与参数表：

表128V PD 端口浪涌测试级别与参数表

（注：实际测试中，28V PD 产品通常要求达到3级或4级标准，部分高端设备需满足特殊级要求）

浪涌能量计算与数值

1. 能量计算方法

浪涌能量 (E) 计算公式：E = ∫i²·R·dt ≈ (Ipp)²·R·T

其中：

Ipp：浪涌峰值电流

R：测试源内阻 (2Ω)

T：电流持续时间 (20μs)

2. 各等级浪涌能量值

表2各等级浪涌能量值

（注：28V PD 端口因工作电压较高，实际浪涌能量需求比普通 USB 端口高约 30%~50%）

现有方案技术痛点

传统分立TVS器件方案36V 钳位电压与 40V 芯片耐压匹配风险分析

理想钳位电压与实际分立器件TVS钳位效果在钳位电压曲线上存在一些差异，下图是理想钳位电压在遭遇瞬态浪涌时的效果：

图3 理想浪涌保护电压波形

28V PD电源正常工作电压一般会有20%的电压波动，也就是最高工作电压33V是必须保障的，让我们假设一下如果继续使用33V VRWM 分立器件会发生的情况：

表333V VRWM 分立器件表现

传统分立器件TVS 导通后，动态电阻 Rd 随温度上升而增大 (正温度系数)，电阻增大导致功耗 P=I²×Rd 进一步增加，形成正反馈。当浪涌能量持续输入，散热速度 < 产热速度，结温呈指数上升，整个过程热-电反馈失控，最终形成了“驼峰”(鼓包)状的Vclamp曲线。

图4 传统TVS触发浪涌保护时的电压鼓包现象

差异解析：

1. 温度与环境因素风险

表4温度与环境因素风险

2. PCB 布局与寄生参数风险

TVS 距连接器每增加 1cm，寄生电感增加约5~10nH，在浪涌电流 (100A/μs) 下产生L×di/dt 额外压降，使实际芯片端电压升高40~60%

保护路径阻抗过高 (如过长 / 过窄走线)，导致浪涌能量不能快速泄放，芯片承受更长时间的高电压

TVS 接地不良时，地电位浮动会使实际保护电压额外增加2~5V

28V PD 端口浪涌测试峰值电流可达2kA，能量达80J，普通 36V TVS 可能在高能量冲击下响应延迟增加，钳位电压升高

TVS 在高电流下动态电阻增大，使实际钳位电压比标称值高 10~15%，达39.6~41.4V，超过芯片耐压

即使单次浪涌未击穿芯片，长期承受接近 40V 的电压波动会导致芯片内部绝缘退化，寿命缩短50% 以上

TVS 在多次浪涌后可能性能退化，漏电流上升，钳位特性恶化，进一步降低保护效果

核心风险结论：传统分立器件36V 钳位 TVS 与 40V 耐压芯片组合在 28V PD 端口应用中存在极高风险，安全裕度严重不足 (仅 10%)，浪涌测试通过率低，长期可靠性差，TVS 失效可能直接导致芯片损毁。

艾为平坦钳位浪涌保护技术

数模龙头艾为电子重磅推出的优质Plus-TVS系列芯片，以超小的动态电阻、超强防护性能与极致紧凑设计，为各类电子设备筑起一道坚不可摧的“安全铠甲”。

作为瞬态抑制领域的优秀产品，艾为Plus-TVS系列芯片搭载独特反馈机制，实现精准平缓钳位，在200V、8/20µs浪涌电流冲击下，能将系统接触电压牢牢控制在40V以下，实现5mohm的动态电阻，轻松抵御雷击、电网波动等带来的高功率瞬态冲击。针对工业信号线路常见的EMC要求，它可通过42Ω电阻耦合承受最高1kV IEC 61000-4-5开路电压，同时集成4级IEC 61000-4-2 ESD防护，全方位拦截静电“闪电”与浪涌“海啸”，从源头杜绝瞬态电压造成的设备损坏。

图5 平坦钳位保护技术

传统的TVS方案存在两个缺点钳位电压范围太宽和提前泄放电流。无法满足先进工艺制程芯片越来越小的电压裕度，从而芯片损坏的风险在加大，并且由于栅漏耦合电容的作用，泄放管容易提前开启，从而可能将有用的能量提前泄放，削弱有用信号，影响电路的效率及正常工作。

图6 实测浪涌电流及保护电压曲线

艾为Plus-TVS系列芯片集成了特有的优化钳位电平的浪涌防护专利方案，将钳位电压压缩到很小的范围内，且具有不易于提前触发的优点，以提供更好的浪涌防护能力。艾为专有的解决方案，在泄放管的驱动电路中实现对泄放电流的精准控制，从而显著降低动态电阻值Rdyn，提升了钳位电压平坦度。并通过对控制环路的干预工作，有效避免了泄放管的提前开启，杜绝了对保护电路正常工作的影响。结合国内先进的工艺技术，实现了更小型的泄放管设计，使得整个芯片更紧凑，适应更多小型化应用场景。

守护精密电路，赋能可靠创新。艾为优质Plus-TVS系列芯片，让每一台电子设备都能从容应对瞬态电压挑战，为科技产品的稳定运行保驾护航，成为工程师信赖的电路安全首选！